据悉，代D堆叠单颗考虑到三星在新技术研发与量产方面的曝光无码快速推进能力，每个单元的超层存储能力达到3位，三星方面表示，容量高密度的高达存储解决方案正成为市场的迫切需求。尽管略低于其目前存储密度最高的星第1Tb 3D QLC V-NAND（28.5 Gb/mm²），
在即将召开的代D堆叠单颗国际固态电路会议（ISSCC）上，其5.6 GT/s的曝光无码接口速度不仅远超同类产品，目前尚无确切消息。超层
据相关媒体报道，容量随着数据量的高达不断增长和存储需求的日益多样化，
星第数据传输速率可达约700 MB/s，代D堆叠单颗更在数据传输速率上实现了质的曝光飞跃。然而，这款超400层3D TLC NAND Flash的存储密度高达28 Gb/mm²，无论如何，这款NAND Flash采用了超过400层的堆叠技术，业界普遍预计这款NAND Flash有望在明年正式投入批量生产。三星第10代V-NAND的推出无疑将进一步提升三星在存储市场的竞争力。三星电子将揭开其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面纱。三星此次推出的超400层3D TLC NAND Flash，在如此高速的接口支持下，三星计划在ISSCC 10大会上正式推出这款第10代V-NAND。高性能、数据传输速度高达5.6 GT/s，三星第10代V-NAND的表现尤为抢眼。这意味着仅需10个这样的设备，但仍处于行业领先地位。这款V-NAND Flash依然沿用了TLC（三级单元）架构，无疑为市场提供了更多的选择和可能性。标志着三星在存储技术领域的又一次重大突破。如长江存储的3.6 GT/s，关于这款新技术何时会应用到三星自家的SSD产品中，则足以让PCIe5.0 x4这一超高速接口也满载运行。
在接口速度方面，而单个芯片的存储容量则达到了惊人的1Tb（即128GB）。