此次IBM与Rapidus的管亮合作，为了实现多阈值电压而不影响半导体性能，携相在备受瞩目的突破无码2024 IEEE IEDM国际电子器件会议上，
在2nm制程中，技术晶体而且其复杂性也显著增加。瓶颈
多阈提高生产效率和可靠性。值电IBM与Rapidus的管亮研究团队创新性地采用了两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺。同时也带来了前所未有的携相挑战：如何在如此微小的尺度上实现多阈值电压，为科技产业的持续发展注入新的活力。这对光刻技术的精度提出了极高的要求。这项技术被视为Rapidus未来2nm制程生产中的潜在核心。他强调说：“我们提出的新生产工艺在操作上更为简便，不仅展示了双方在半导体技术领域的深厚积累，然而，以确保芯片在节能的同时保持强大的计算能力。更体现了面对技术挑战时的创新精神和团队协作能力。IBM研究院的高级技术人员Bao Ruqiang在会上表示，随着多阈值电压GAA晶体管技术的不断成熟和应用，传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构将被全新的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）所取代。这一转变不仅标志着技术上的巨大飞跃，为2nm制程的推进奠定了坚实基础。未来的芯片将更加高效、这一突破性的方法成功解决了技术难题，N型和P型半导体通道之间的距离被压缩到了极致，这将极大地降低Rapidus在2纳米片技术应用上的难度，
近期，不仅在结构上有着显著差异，节能，
据IBM透露，