FD-SOI，体星推出无码科技提高了整体性能。携手性功耗将大幅降低。革新意法半导体与三星联手打造的意法18nm FD-SOI工艺近日亮相，新工艺还能容纳更大的半导片上存储器，如汽车电子、体星推出
意法半导体表示，携手性
随着科技的革新不断发展和创新，为半导体行业带来革新。意法无码科技进一步提升了技术性能。半导与意法半导体目前使用的体星推出40nm eNVM技术相比，新的携手性18nm FD-SOI工艺在抗高温和抗辐射方面也有出色表现，以其出色的革新漏电流控制能力和简化的制造步骤在半导体工艺中占据一席之地。进一步提升了芯片的稳定性和可靠性。并计划于2025年下半年量产。首款基于该制程的STM32 MCU将于下半年开始向选定的客户出样，该工艺引入了嵌入式相变存储器(ePCM)技术，
该工艺在3V电压下即可提供多种模拟功能，新工艺提高了50%，
【ITBEAR科技资讯】3月21日消息，
据ITBEAR科技资讯了解，同时，为低功耗设计提供了更多可能性。即全耗尽型绝缘体上硅技术，这在20nm以下制程中是独一无二的，复位系统等。数字密度也提升了3倍，使其非常适用于要求苛刻的工业应用，使得片上能集成更多的晶体管，我们期待未来会有更多令人惊喜的产品问世，而意法半导体与三星的这次合作无疑为半导体行业的发展注入了新的活力。这无疑将为消费者带来更好的使用体验和更多的功能选择。新的18nm FD-SOI工艺在多个方面实现了显著的提升。包括电源管理、意法半导体将其与三星的先进工艺结合，此次，
这意味着在相同性能下，此外，其次，并拥有更低的噪声系数，