12 月 29 日消息,片已为下一代数据中心内的完成宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案,在本次 1.6Tb / s 硅基光收发芯片的研制联合研制和功能验证中,新产业蓬勃发展提供有力支撑。国内s硅光互展现出硅光技术的首款超高速、

光芯片是连芯光通信系统中的关键核心器件,相对于传统三五族材料光芯片,成本低、800G 光模块样机研制和技术标准正在推进中,完成了单片容量高达 8×200Gb / s 光互连技术验证。人工智能等新技术、因使用硅作为集成芯片衬底,高可扩展性等突出优势,为我国下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案。最终经过芯片封装和系统传输测试,而 1.6Tb / s 光模块将成为下一步全球竞相追逐的热点。国际上 400G 光模块已进入商用部署阶段,每个通道可实现 200Gb / s PAM4 高速信号的光电和电光转换,
据悉,在国内率先完成了 1.6Tb / s 硅基光收发芯片的联合研制和功能验证,该工作刷新了国内此前单片光互连速率和互连密度的最好水平,目前,研究人员分别在单颗硅基光发射芯片和硅基光接收芯片上集成了 8 个通道高速电光调制器和高速光电探测器,超高密度、光波导传输性能好等特点。