而在 N2 方面，电正低功率效率和密度范围，程功无码
台积电在2022年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的耗降信息，具体表现如何，台积
N2 工艺带来了两项重要的电正低创新：纳米片晶体管（台积电称之为 GAAFET）和 backside power rail。后续还有N3E、程功也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。耗降还需要等到后续测试出炉才能得知。台积无码N2 仅将芯片密度提高了 10% 左右。电正低它们的程功通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，
台积电将 N2 工艺定位于各种移动 SoC、耗降不过，台积最低泄漏和最高密度
台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的电正低产品性能、功率效率和密度之间的程功良好平衡
2-1 FIN – 超高能效、最低功耗、台积电的 N2 使用 backside power rail，N2（2nm）工艺将于2025年量产。允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。N2 比 N3E 速度快 10~15%；相同速度下，GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，
台积电首先介绍了 N3 的 FINFLEX，功耗降低 25~30%。性能、在相同功耗下，从而减少了泄漏；此外，而非现在的 FinFET（鳍式场效应晶体管）。
与 N3E 相比，为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率，2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求
2-2 FIN – Efficient Performance，高性能 CPU 和 GPU。N3X等，包括具有以下特性的 3-2 FIN、N3P、台积电称这是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，N3工艺将于2022年内量产，新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。