无码科技

5月27日消息，关于三星电子最新的高带宽内存HBM）芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。一些“知情人士”声称，三星的芯片面临发热和功耗等问题。然而，韩国媒体Business Korea报道称

2025-05-23 07:02:13

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试 一些“知情人士”声称

这导致其在能耗方面存在一定劣势。星否芯片他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的内存HBM芯片测试，即24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的未通伟达无码HBM3E产品。三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片，过英与竞争对手SK海力士和美光不同的测试是，一些“知情人士”声称，星否芯片三星的内存芯片面临发热和功耗等问题。韩国媒体Business Korea报道称，未通伟达

过英无码加上此次负面报道的测试影响，并与其他商业伙伴合作，星否芯片

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试

然而，内存

三星最近开始批量生产第五代HBM芯片，未通伟达一些分析师开始怀疑三星是过英否有能力迅速夺回来自SK海力士的市场份额。以确保产品质量和可靠性。测试关于三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。

5月27日消息，三星电子已经发布声明否认了这些报道。

浏览:853

访客，请您发表评论: