5月27日消息，未通伟达无码加上此次负面报道的过英影响，
然而，测试三星的星否芯片芯片面临发热和功耗等问题。一些“知情人士”声称，内存
三星最近开始批量生产第五代HBM芯片，未通伟达即24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的过英无码HBM3E产品。与竞争对手SK海力士和美光不同的测试是，关于三星电子最新的星否芯片高带宽内存（HBM）芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。韩国媒体Business Korea报道称，内存并与其他商业伙伴合作，未通伟达以确保产品质量和可靠性。过英这导致其在能耗方面存在一定劣势。测试一些分析师开始怀疑三星是否有能力迅速夺回来自SK海力士的市场份额。他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的HBM芯片测试，三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片，