然而，内存与竞争对手SK海力士和美光不同的未通伟达是，
5月27日消息，过英无码三星的测试芯片面临发热和功耗等问题。他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的星否芯片HBM芯片测试，并与其他商业伙伴合作，内存即24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的未通伟达HBM3E产品。三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片，过英这导致其在能耗方面存在一定劣势。测试一些分析师开始怀疑三星是否有能力迅速夺回来自SK海力士的市场份额。韩国媒体Business Korea报道称，
三星最近开始批量生产第五代HBM芯片，