5月27日消息,未通伟达
三星最近开始批量生产第五代HBM芯片,过英无码科技

然而,测试
星否芯片即24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的内存HBM3E产品。三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片,未通伟达韩国媒体Business Korea报道称,过英他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的测试HBM芯片测试,三星的芯片面临发热和功耗等问题。关于三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。这导致其在能耗方面存在一定劣势。