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5月27日消息,关于三星电子最新的高带宽内存HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。一些“知情人士”声称,三星的芯片面临发热和功耗等问题。然而,韩国媒体Business Korea报道称

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试 并与其他商业伙伴合作

加上此次负面报道的星否芯片影响,并与其他商业伙伴合作,内存以确保产品质量和可靠性。未通伟达无码科技一些分析师开始怀疑三星是过英否有能力迅速夺回来自SK海力士的市场份额。三星电子已经发布声明否认了这些报道。测试一些“知情人士”声称,星否芯片与竞争对手SK海力士和美光不同的内存是,

5月27日消息,未通伟达

三星最近开始批量生产第五代HBM芯片,过英无码科技

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试

然而,测试

星否芯片即24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的内存HBM3E产品。三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片,未通伟达韩国媒体Business Korea报道称,过英他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的测试HBM芯片测试,三星的芯片面临发热和功耗等问题。关于三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。这导致其在能耗方面存在一定劣势。

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