5月27日消息,测试

然而,星否芯片关于三星电子最新的内存高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。
未通伟达三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片,过英三星最近开始批量生产第五代HBM芯片,测试这导致其在能耗方面存在一定劣势。加上此次负面报道的影响,三星的芯片面临发热和功耗等问题。
5月27日消息,测试
然而,星否芯片关于三星电子最新的内存高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。
未通伟达三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片,过英三星最近开始批量生产第五代HBM芯片,测试这导致其在能耗方面存在一定劣势。加上此次负面报道的影响,三星的芯片面临发热和功耗等问题。