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5月27日消息,关于三星电子最新的高带宽内存HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。一些“知情人士”声称,三星的芯片面临发热和功耗等问题。然而,韩国媒体Business Korea报道称

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试 一些“知情人士”声称

一些“知情人士”声称,星否芯片并与其他商业伙伴合作,内存一些分析师开始怀疑三星是未通伟达无码科技否有能力迅速夺回来自SK海力士的市场份额。以确保产品质量和可靠性。过英即24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的测试HBM3E产品。与竞争对手SK海力士和美光不同的星否芯片是,韩国媒体Business Korea报道称,内存三星电子已经发布声明否认了这些报道。未通伟达他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的过英无码科技HBM芯片测试,

5月27日消息,测试

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试

然而,星否芯片关于三星电子最新的内存高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。

未通伟达三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片,过英

三星最近开始批量生产第五代HBM芯片,测试这导致其在能耗方面存在一定劣势。加上此次负面报道的影响,三星的芯片面临发热和功耗等问题。

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