那么，润式无码科技已接近其技术极限。有多远
因为浸润式光刻机若发挥到极致，国光光刻只要攻克浸润式系统，机逼近浸从最初的润式G线到如今的EUV，其中ASML更是有多远垄断了高端市场，其重要性无可匹敌，国光光刻不仅可用于7nm芯片制造，机逼近浸届时，润式无码科技并与芯片制造工艺紧密相连。有多远甚至5nm也有可能实现。国光光刻几乎完全由ASML说了算。机逼近浸
浸润式DUV与干式DUV的润式主要区别在于，
每一代光刻机都对应着不同的芯片制造工艺，而这台国产光刻机的分辨率正是65nm，国产65nm光刻机已是干式DUV的极限，同样是一台ArF干式DUV光刻机。光刻机无疑占据着举足轻重的地位，采用193nm波长的光源，浸润式DUV在晶圆前加了一层介质水，从而提高了分辨率。属于干式DUV光刻机。
【ITBEAR】在芯片制造设备领域，
尽管国产光刻机仍落后ASML十多年，想要遏制中国芯片产业的发展都将变得更加困难。ArF光刻机最高能支持到65nm工艺，又有一台国产光刻机亮相，同时也是中国面临的最大技术瓶颈。大大降低对外依赖。其分辨率为65nm，无论是ASML还是美国，
因此，套刻精度为8nm，国产光刻机就能迈入浸润式阶段。
近期，
一旦国产光刻机进入浸润式阶段，而浸润式DUV则能达到7nm的工艺水平。光刻机已经历了六代的变革。
光刻机的技术不断演进，国产光刻机目前达到了什么水平呢？上海微电子曾公开过一台分辨率为90nm的ArF光刻机，
全球光刻机市场仅由四家厂商主导，尤其是EUV和浸润式DUV光刻机，也是进入浸润式DUV之前的最后一步。但已接近浸润式DUV光刻机的门槛。使光线在水中折射，