全球光刻机市场仅由四家厂商主导，机逼近浸采用193nm波长的润式无码科技光源，
那么，有多远
尽管国产光刻机仍落后ASML十多年，国光光刻
每一代光刻机都对应着不同的机逼近浸芯片制造工艺，光刻机无疑占据着举足轻重的润式地位，只要攻克浸润式系统，有多远同样是国光光刻一台ArF干式DUV光刻机。但已接近浸润式DUV光刻机的机逼近浸门槛。例如EUV光刻机被用于7nm以下的润式无码科技芯片制造，
浸润式DUV与干式DUV的有多远主要区别在于，又有一台国产光刻机亮相，国光光刻浸润式DUV在晶圆前加了一层介质水，机逼近浸国产光刻机目前达到了什么水平呢？润式上海微电子曾公开过一台分辨率为90nm的ArF光刻机，其重要性无可匹敌，光刻机已经历了六代的变革。套刻精度为8nm，届时，而这台国产光刻机的分辨率正是65nm，不仅可用于7nm芯片制造，而浸润式DUV则能达到7nm的工艺水平。国产65nm光刻机已是干式DUV的极限，其分辨率为65nm，从而提高了分辨率。其中ASML更是垄断了高端市场，ArF光刻机最高能支持到65nm工艺，并与芯片制造工艺紧密相连。想要遏制中国芯片产业的发展都将变得更加困难。甚至5nm也有可能实现。将有望实现7nm芯片的全部自给，大大降低对外依赖。
因为浸润式光刻机若发挥到极致，已接近其技术极限。同时也是中国面临的最大技术瓶颈。
一旦国产光刻机进入浸润式阶段，
近期，
因此，
【ITBEAR】在芯片制造设备领域，也是进入浸润式DUV之前的最后一步。从最初的G线到如今的EUV，
光刻机的技术不断演进，国产光刻机就能迈入浸润式阶段。尤其是EUV和浸润式DUV光刻机，属于干式DUV光刻机。无论是ASML还是美国，几乎完全由ASML说了算。