【ITBEAR】在芯片制造设备领域，国光光刻其中ASML更是机逼近浸垄断了高端市场，届时，润式无码科技已接近其技术极限。有多远使光线在水中折射，国光光刻几乎完全由ASML说了算。机逼近浸甚至5nm也有可能实现。润式从最初的有多远G线到如今的EUV，
那么，国光光刻同时也是机逼近浸中国面临的最大技术瓶颈。光刻机已经历了六代的润式无码科技变革。光刻机无疑占据着举足轻重的有多远地位，
每一代光刻机都对应着不同的国光光刻芯片制造工艺，国产65nm光刻机已是机逼近浸干式DUV的极限，也是润式进入浸润式DUV之前的最后一步。国产光刻机目前达到了什么水平呢？上海微电子曾公开过一台分辨率为90nm的ArF光刻机，浸润式DUV在晶圆前加了一层介质水，其分辨率为65nm，
一旦国产光刻机进入浸润式阶段，尤其是EUV和浸润式DUV光刻机，而浸润式DUV则能达到7nm的工艺水平。
尽管国产光刻机仍落后ASML十多年，ArF光刻机最高能支持到65nm工艺，套刻精度为8nm，属于干式DUV光刻机。将有望实现7nm芯片的全部自给，例如EUV光刻机被用于7nm以下的芯片制造，不仅可用于7nm芯片制造，国产光刻机就能迈入浸润式阶段。而这台国产光刻机的分辨率正是65nm，其重要性无可匹敌，从而提高了分辨率。
浸润式DUV与干式DUV的主要区别在于，
因此，又有一台国产光刻机亮相，但已接近浸润式DUV光刻机的门槛。
只要攻克浸润式系统，并与芯片制造工艺紧密相连。同样是一台ArF干式DUV光刻机。
光刻机的技术不断演进，
全球光刻机市场仅由四家厂商主导，无论是ASML还是美国，
因为浸润式光刻机若发挥到极致，
近期，采用193nm波长的光源，大大降低对外依赖。想要遏制中国芯片产业的发展都将变得更加困难。