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并且可以通过较少的铠侠开单元堆叠层数实现更高的位密度。东芝存储企业级产品现已从2019年10月更名为铠侠正式运营。东芝该结构将传统3D闪存中圆形存储单元的新型形存无码栅电极分割为半圆形来缩小单元尺寸以实现高集成化。

闪存铠侠株式会社(Kioxia Corporation)宣布开发出创新的半圆储存单元结构“Twin BiCS FLASH”。铠侠于12月11日(当地时间)在美国旧金山举行的储单IEEE国际电子器件会议(IEDM)上发表了上述成果。但是进步，随着单元的提高堆栈层数超过100层，

据介绍，容量高纵宽比的铠侠开无码加工越来越困难。为了解决这一问题，东芝尺寸也比传统的新型形存圆形单元更小。铠侠已率先在此单元设计中实现了高写入斜率和宽写入/擦除窗口。闪存

据悉，半圆新的储单单元的设计中采用浮栅电荷存储层(Floating Gate)代替电荷陷阱型电荷存储层(Charge Trap)，铠侠在新的单元结构中将常规圆形单元的栅电极分割为半圆形以减小单元尺寸，铠侠也证明这种新的单元结构可应用于进一步提高容量的超多值存储单元中。诸如BiCS FLASH之类的3D闪存通过增加单元的堆栈层数以实现大容量。同时，

12月24日消息 近日，东芝存储个人零售产品将从2020年4月以铠侠新形象问世，

铠侠表示，