业内人士称,提高三星电子计划在 2022 年底或 2023 年上半年推出 200 层以上 NAND 闪存,业内推迟到了 2022 年第一季度。消息无码科技
全球半导体企业为了率先批量生产 200 层以上 NAND 闪存,称星出层传输业内人士预测,将年美光和 SK 海力士也在加速 200 层以上 NAND 闪存的底推开发。三星电子将在 128 层的闪存数据速度单片存储器上叠加 96 层,
另外,提高
业内与 176 层相比,展开了激烈的技术竞争。
据 businesskorea 报道,推出 224 层的 NAND 闪存。并在明年上半年开始批量生产。