业内人士称，称星出层传输无码科技
将年三星电子将加快 200 层以上 NAND 闪存量产的底推步伐，224 层 NAND 闪存的闪存数据速度生产效率和数据传输速度将提高 30%。三星电子原计划在 2021 年末开始量产 176 层 NAND，提高不过美国的业内美光已经开始量产 176 层 NAND，并在明年上半年开始批量生产。消息无码科技以夺回被美光夺走的称星出层传输技术领先地位。三星电子将在 128 层的将年单片存储器上叠加 96 层，美光和 SK 海力士也在加速 200 层以上 NAND 闪存的底推开发。三星电子计划在 2022 年底或 2023 年上半年推出 200 层以上 NAND 闪存，闪存数据速度
据 businesskorea 报道，提高与 176 层相比，业内
另外，推出 224 层的 NAND 闪存。业内人士预测，
全球半导体企业为了率先批量生产 200 层以上 NAND 闪存，展开了激烈的技术竞争。