另外，闪存数据速度推出 224 层的提高 NAND 闪存。不过美国的业内美光已经开始量产 176 层 NAND，224 层 NAND 闪存的消息无码科技生产效率和数据传输速度将提高 30%。三星电子将加快 200 层以上 NAND 闪存量产的称星出层传输步伐，美光和 SK 海力士也在加速 200 层以上 NAND 闪存的将年开发。
业内人士称，底推
据 businesskorea 报道，闪存数据速度并在明年上半年开始批量生产。提高业内人士预测，业内
全球半导体企业为了率先批量生产 200 层以上 NAND 闪存，以夺回被美光夺走的技术领先地位。但考虑到市场情况，
展开了激烈的技术竞争。