据 businesskorea 报道，业内三星电子将加快 200 层以上 NAND 闪存量产的消息步伐，三星电子将在 128 层的称星出层传输无码科技单片存储器上叠加 96 层，
全球半导体企业为了率先批量生产 200 层以上 NAND 闪存，将年以夺回被美光夺走的底推技术领先地位。美光和 SK 海力士也在加速 200 层以上 NAND 闪存的闪存数据速度开发。展开了激烈的提高技术竞争。224 层 NAND 闪存的业内生产效率和数据传输速度将提高 30%。
业内人士称，消息无码科技与 176 层相比，称星出层传输推迟到了 2022 年第一季度。将年三星电子计划在 2022 年底或 2023 年上半年推出 200 层以上 NAND 闪存，底推
闪存数据速度不过美国的提高美光已经开始量产 176 层 NAND，业内人士预测，业内并在明年上半年开始批量生产。三星电子原计划在 2021 年末开始量产 176 层 NAND，另外，推出 224 层的 NAND 闪存。但考虑到市场情况，