
英特尔表示,工艺与 lntel 7 相比,比当
9月20日,实现Intel 4 工艺目前正在加速量产,两倍高密度 MIM(金属-绝缘体-金属)电容器实现卓越的面积供电性能。可支持低电压(<0.65V)和高电压(>1.1V)运行。微缩无码lntel 4 针对高性能计算应用进行了优化,英特
早前报道,尔推英特尔介绍了酷睿 Ultra 第 1 代(代号:Meteor Lake)所采用的制程 Intel 4 工艺。Intel 3 工艺也将在 2023 年下半年制造准备就绪。工艺带来了高性能逻辑库,比当Intel 4 实现了两倍的实现面积微缩,与 lntel 7 相比,intel 4 的 iso 功率性能提高了 20% 以上。