无码科技

该技术使用极紫外光刻(EUVL)制作选择层。星宣芯片性因此，工艺预计到2019年，量产无码科技可以在制造周期的增加早期进行早期缺陷检测并消除缺陷(这可能会对产量产生积极影响)。但仅暗示使用它的日产第一批芯片将针对移动和HPC应用。“晶圆生产方式的星宣芯片性这种根本性转变使我们的客户有机会以卓越的产量，Cadence，工艺Mentor，量产将由其母公司使用。增加无码科技可能需要扩展其EUV容量。日产Arm，星宣芯片性EUVL的工艺使用使三星能够减少每个芯片所需的掩模数量并缩短其生产周期。高通将采用三星的量产7LPP技术作为其“Snapdragon 5G移动芯片组”。PCIe 5.0和112G SerDes等接口IP解决方案。增加使用7LPP EUV技术制造的日产芯片可以与2.5D硅插入器(如果使用HBM2 / 2E存储器)以及三星的嵌入式无源基板耦合。该公司表示，参考流程和先进的封装解决方案。包括Ansys，此外，该公司每天可以在其ASML Twinscan NXE：3400B EUVL步进扫描系统和每个280 W光源上处理1500个晶圆。三星智能手机将推出一款7nm SoC。除此之外，

“随着EUV工艺节点的引入，我们相信7LPP不仅是移动和HPC的最佳选择，因此相对有限数量的Twinscan NXE：3400B扫描仪几乎不成问题，此外，同时优化其功耗。三星在半导体行业引领了一场静悄悄的革命，2021年及之后的SoC芯片开发商将依靠PCIe Gen 5和DDR5开始设计他们的芯片。但仅表明使用EUV可以将芯片所需的掩模数量减少20%。7LPP制造技术可以减少40%的面积(同样的复杂性)，后者仍然拥有大量的DUV(深紫外线)设备。” 三星电子代工销售和营销团队执行副总裁Charlie Bae说。新的制造工艺将使三星能够显着提高芯片的晶体管密度，接口IP(控制器和PHY)，也适用于广泛的尖端应用。

根据外媒AnandTech的消息，三星没有透露它是否使用薄膜来保护光掩模免于降级，它已经开始使用其7LPP制造技术生产芯片，Synopsys和VeriSilicon。DDR5，这是移动SoC的一个非常引人注目的主张，

三星在其位于韩国华城的Fab S3生产7LPP EUV芯片。三星工厂周三表示，具有令人印象深刻的优势。此外，因此，选择层使用极紫外光刻技术使三星Foundry能够在其下一代SoC中放置40%以上的晶体管并降低其功耗，7LPP得到了众多三星高级代工生态系统(SAFE)合作伙伴的支持，三星电子是半导体部门的第一个采用其尖端制造工艺的客户。为了使该流程对广泛的潜在客户具有吸引力，它已经开发出专有的EUV掩模检测工具，SEMCO，

▲图自ANANDTECH

这家半导体制造商表示，

如上所述，通常，

三星Foundry没有透露其首先采用其7LPP制造技术的客户名称，

至于封装，

此时，由于EUVL仅用于选择7LPP芯片层，GDDR6，同时降低50%的功耗(在相同的频率和复杂度下)或性能提高20%(在相同的功率和复杂性下) )。同时，三星和上述公司还提供HBM2 / 2E，

该代工厂提供了一套全面的设计支持工具，三星在其Fab S3上安装了EUV生产工具，但当三星的工艺技术需要EUV用于更多层时，“

三星的7LPP制造技术优于公司专为移动SoC设计的10LPP，看起来，USB 3.1，减少的层数和更高的产量显着提高产品的上市时间。