英特尔和 IMEC 正在自旋电子材料研究方面取得进展，尔公尔定这代表了制造纳米尺度的布突无码量子运算晶体管成为可能。同时还兼容来自在不同厂商的破摩片封片芯片混合进行封装。有助于减少损耗，律新联密料引
这项技术支持将 CPU、技术全新的多芯度提封装方式可以将 NMOS 和 PMOS 堆叠在一起，这种芯片将铁元素引入芯片的装互制造，解决传统硅芯片的升倍无码物理限制。多芯片封装技术：Foveros Direct
这项技术应用于多种芯片混合封装的维材场景，
在在 2021 年 IEEE 国际电子设备会议上，入芯将逻辑门的英特体积进一步缩小，英特尔还展示了与目前 CMOS 芯片兼容的尔公尔定 300mm 晶圆量子运算电路的制造，根据外媒 VideoCardz 报道，布突RibbonFET 等。破摩片封片在路线图中，该方案有较高的灵活性，新的电源和存储器技术以及量子计算芯片技术等等。Foveros Direct 技术使得上下芯片之间的连接点密度提升了 10 倍，
英特尔阐述了目前已经公布的一些创新技术，这项电源技术支持更高的电压，这种二维材料为单层二硫化钼 MoS2，英特尔还表示可以将二维材料引入芯片的制造中，基于硅芯片的量子运算芯片，更高效的电源技术和 DRAM 内存芯片技术
目前英特尔已经首次实现在 300 毫米硅晶圆上，制造拥有 GaN 氮化镓开关的 CMOS 芯片。成品电源管理芯片可以更加精准快速地控制 CPU 的电压，将晶体管密度提升 30% 至 50%，从而在空间上提高芯片的晶体管密度。包括 Hi-K 金属栅极、预计未来可以制造出能够量产的全功能器件。此外，
上图右侧展现的是英特尔研发的低延迟内存技术：FeRAM。FinFET 晶体管、可以使得连接距离更短，传统的硅芯片将走向物理极限。支持客户依据不同的需求灵活定制芯片组合。在 IEDM 2021 大会，FeRAM 技术能够提高内存芯片的密度。
官方表示，
3、英特尔呼吁业界制定统一的标准，作为 FinFET 的替代。公布了突破摩尔定律的三种新技术。英特尔还展现了多种芯片工艺，此外，英特尔今日发表文章，在 2 纳秒内完成读写。这种芯片还能够减少主板上的供电元件。便于不同芯片之间的互联。这种方式能在制程不便的情况下，
2、同时，GPU、这些技术的目标是在 2025 年之后，其中包括 Intel 20A 制程，
英特尔于 2021 年 7 月展现了 RibbonFET 新型晶体管架构，不同制程的芯片以相邻或者层叠的方式结合在一起。英特尔公布了多芯片混合封装互联密度提高 10 倍、延续摩尔定律。英特尔展示了世界上第一个在室温下实现磁电自旋轨道(MESO)的逻辑器件。可以大大提高内存芯片的读写速度，紧密互联，
▲ 英特尔公布的三大技术突破
以下具体内容：
1、
此外，IO 芯片紧密结合在一起，并确立了未来的研究方向。可以将不同功能、有望在将来取代 MOSFET 晶体管
随着未来晶体管密度进一步提升，晶体管密度提升 30%-50%、
12 月 12 日消息，