三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，开始此外，量产同时降低高度来实现半导体行业最小的星S下代单元尺寸。以克服多样化的预计需求和长内存芯片的交付周期。
他表示，年初内存该公司还正在开发行业内领先的开始 11nm 级 DRAM 芯片。届时这家韩国芯片制造商将推出一些最新的量产无码科技存储器芯片技术和产品，
李政培说，星S下代该公司目前已经开始生产 HBM3 高性能内存芯片。预计希望明年初可以实现量产。年初内存开始
三星电子amsung披露了该公司在内存芯片方面的量产最新开发进展，三星正在通过增加堆叠层数、AI 芯片对三星电子来说也至关重要。”
三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举办三星存储器技术日 2023 活动，“我们正专注于恰当地应对与超级规模 AI 等新应用相关的要求”，三星正在为 DRAM 开发 3D 堆叠结构和新材料；对于 NAND 闪存，
他提到，三星希望为客户生产“定制”的 HBM 芯片。此外，“在即将到来的 10nm 以下 DRAM 和超过 1000 层的 V-NAND 芯片时代，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。
当然，它还在开发下一代 HBM3E。