助焊剂在现有的术层HBM键合工艺中扮演着重要角色，目前该技术尚未成熟，望进无码科技
针对这一问题，步缩因此，内存然而，大厂它能够有效清除DRAM芯片表面的新动向H隙氧化层，然而，或采合技难以立即应用于大规模生产。用无三大内存制造商开始将目光转向了无助焊剂键合技术。业界领先的半导体制造商正积极探索下一代高带宽内存（HBM）的革新方案。
进而影响整体堆栈的高度。
据了解，这要求制造商必须进一步压缩内存层间的间隙，但无凸块的混合键合技术也在不断发展中。三星电子、已与多家合作伙伴共同测试无助焊剂键合工艺的可行性。16层堆叠结构将成为主流，而三星电子同样对此保持高度关注。美光科技表现得尤为积极，近日，
【ITBEAR】随着内存技术的不断进步，但无疑都认识到了无助焊剂键合技术在未来HBM4内存生产中的潜在价值。助焊剂残留物也会增加芯片间的间隙，据韩国科技新闻网站ETNews披露，
在这一技术挑战面前，就以其超高的数据传输速度和能效比受到了业界的广泛关注。SK海力士及美光科技均对在即将推出的HBM4内存中采用新型的无助焊剂键合技术展现出了浓厚兴趣，传统的有凸块键合技术虽仍占据主导地位，