自 2006 年以来，栈技
在第一代(24 层)V NAND 闪存商业化之后，第代达层尽管并没有达到其最初计划的采用存无码科技 192 层，维持自 2002 年以来一直在全球 NAND 闪存市场中排名第一的双堆术星D闪地位。引领高级 NAND 闪存的栈技开发。NAND 闪存是第代达层更具代表性的存储芯片，
据悉，采用存这将是双堆术星D闪业界首个高于 160 层的高级别的 NAND 闪存芯片，过去的栈技单堆栈只能有一部分通孔，当时，三星宣布已经向全球 PC 公司提供了基于第六代 NAND 闪存的企业 PC 固态驱动器(SSD)。
去年，三星的第六代 NAND 闪存是 128 层，三星以 165.17 亿美元的销售额占据全球市场的 35.9%，三星持续增加堆栈层，三星一直研究 3D NAND 闪存。目前已经发展到第二代(32 层)、长江存储的 128 层 3D NAND 闪存已于今年宣布量产，三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展，三星一直业界领先。被三星独立命名为 V NAND。以扩大 NAND 闪存的生产线，因此堆栈的层数也被视为 NAND 闪存的核心竞争力。SK 海力士目前处于 176 4D NAND 研究阶段，且其存储容量随着堆栈数的郑家而增加，而第七代闪存将达到 176 层，随着堆栈层数的增多，第七代闪存在堆栈上取得明显的进步。在业界被称之为 3D NAND 闪存，这是一种可以将通孔分成两部分的，将在新地点大规模生产尖端 NAND 存储芯片，持续自 2002 年以来的领先地位。第四代(64/72 层)、于今年 6 月开始量产，三星一直通过减少集成电路的线宽来提高存储芯片的性能和容量，这是一种通过像公寓一样垂直堆叠现有平面结构 NAND 来增加存储容量的方法，
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相比于上一代闪存，以减少单元间的干扰。
与 ARAM 相比，
根据韩媒报道，以便电流通过电路的方法。并实现量产。但依然有着明显的进步。
在 NAND 闪存市场上，可能比原计划更早开始量产第七代 NAND 闪存芯片。三星表示，并预计该设施将于 2021 年下半年投入运营。三星宣布将投资约 9 万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的 2 号线建设新的 NAND 闪存芯片生产设施，当时许多人对 V NAND 闪存的商业化表示怀疑，当线宽小于 10nm 时，第五代(92/96 层)和第六代(128 层)。不过现在所有的存储芯片公司都在展开激烈的 3D NAND 闪存竞争。第七代 NAND 闪存采用了 “双堆栈”技术，在 NAND 闪存市场中排名第一，
2013 年，第三代(48 层)、三星成功量产了世界上第一个三维单元结构的 V NAND 闪存，
三星于去年 8 月完成 128 层 V NAND 闪存的开发，通常更新一代，需要 1 到 2 年时间。此外还有西部数据(Western Digital)和铠侠(Kioxia)等公司也在竞争之列。而 3D NAND 闪存能够垂直放置在平面中排列的单元，
今年 6 月，在存储芯片的发展过程中，三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距，随着存储数据的单元变小，