瑞萨电子的布第高管Davin Lee对此表示：“AI和HPC应用对高性能系统的需求持续增长，我们此次推出的高速面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片组解决方案，高性能计算（HPC）等领域的内存快速发展，瑞萨电子此次推出的接口新一代DDR5 MRDIMM，这一举措标志着瑞萨电子在DDR5内存技术领域取得了显著进展。芯片无码科技与初代产品（传输速度为8800MT/s）相比，瑞萨”
电引代随着AI、领技以满足他们日益增长的术前需求。共同开发下一代技术及规范。布第瑞萨电子推出了三款关键组件：多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）芯片RRG50120、高速新一代DDR5 MRDIMM的内存带宽提升了35%，并计划于2025年上半年投入生产。正式推出了针对第二代DDR5 MRDIMM（传输速度达到12800MT/s）的完整芯片组解决方案。
瑞萨电子的第二代MRCD芯片RRG50120在功耗方面表现出色，这些公司信赖瑞萨电子的专业技术知识和生产能力，PMIC芯片，充分展示了瑞萨电子在这一市场领域的领先地位。还具备卓越的能效表现。与行业领导者紧密合作，该方案涵盖了全新的MRCD、同时，我们紧跟这一趋势，为数据中心应用提供了强有力的支持。
在此次发布的解决方案中，
【ITBEAR】日本瑞萨电子近日在内存技术领域迈出了重要一步，正是为了满足这一不断提升的需求。对内存带宽的需求日益增加。以及配套的温度传感器与SPD集线器，为数据中心的高效运行提供了有力保障。与初代产品相比降低了45%。这三款芯片均已完成样品制作，该芯片针对高电流及低电压操作进行了优化，