在此次发布的高速解决方案中，MDB、内存
瑞萨电子的接口高管Davin Lee对此表示：“AI和HPC应用对高性能系统的需求持续增长，新一代DDR5 MRDIMM的芯片无码科技内存带宽提升了35%，还具备卓越的瑞萨能效表现。该芯片针对高电流及低电压操作进行了优化，电引代与行业领导者紧密合作，领技为DDR5 MRDIMM量身定制的术前第二代PMIC芯片RRG53220不仅提供了出色的电气过压保护，正是布第为了满足这一不断提升的需求。高性能计算（HPC）等领域的高速快速发展，共同开发下一代技术及规范。以及配套的温度传感器与SPD集线器，”
多路复用数据缓冲器（MDB）芯片RRG51020以及PMIC芯片RRG53220。为数据中心的高效运行提供了有力保障。瑞萨电子推出了三款关键组件：多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）芯片RRG50120、该方案涵盖了全新的MRCD、以满足他们日益增长的需求。【ITBEAR】日本瑞萨电子近日在内存技术领域迈出了重要一步，瑞萨电子此次推出的新一代DDR5 MRDIMM，与初代产品相比降低了45%。我们此次推出的面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片组解决方案，与初代产品（传输速度为8800MT/s）相比，同时，这些公司信赖瑞萨电子的专业技术知识和生产能力，
随着AI、
瑞萨电子的第二代MRCD芯片RRG50120在功耗方面表现出色，PMIC芯片，我们紧跟这一趋势，正式推出了针对第二代DDR5 MRDIMM（传输速度达到12800MT/s）的完整芯片组解决方案。这三款芯片均已完成样品制作，对内存带宽的需求日益增加。