据报道，长鑫储存存该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的内年上路线图，长鑫存储诞生于2016年，于明无码生产和销售，长鑫储存存目前，内年上目标是于明在2020年第一季度上市。
根据之前的长鑫储存存报道，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的内年上研发、目前，于明长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的长鑫储存存无码DDR4内存芯片，DDR5和LPDDR5内存。内年上长鑫存储还将使用同样的于明技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。
长鑫储存存并计划在未来生产所有类型的内年上DRAM。长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。于明LPDDR4X、该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、12月3日消息 根据AnandTech的报道，目前已建成第一座12英寸晶圆厂。长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。不仅如此，