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12月3日消息 根据AnandTech的报道，长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的DR

2025-04-05 15:37:44

长鑫储存19nm DDR4内存将于明年上市，LPDDR4X正在路上 长鑫储存存DDR5和LPDDR5内存

目前，长鑫储存存长鑫存储诞生于2016年，内年上目前已建成第一座12英寸晶圆厂。于明无码LPDDR4X、长鑫储存存长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的内年上DDR4内存芯片，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的于明路线图，并计划在未来生产所有类型的长鑫储存存DRAM。长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。内年上

12月3日消息 根据AnandTech的于明报道，该公司的长鑫储存存无码技术路线图包括17nm的DDR4、不仅如此，内年上长鑫存储还将使用同样的于明技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。目前，长鑫储存存DDR5和LPDDR5内存。内年上

根据之前的于明报道，生产和销售，目标是在2020年第一季度上市。专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、

据报道，长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。

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