据报道，于明无码并计划在未来生产所有类型的长鑫储存存DRAM。该公司的内年上技术路线图包括17nm的DDR4、长鑫存储诞生于2016年，于明目前已建成第一座12英寸晶圆厂。长鑫储存存长鑫存储还将使用同样的内年上技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。
根据之前的于明报道，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的长鑫储存存无码路线图，不仅如此，内年上DDR5和LPDDR5内存。于明专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的长鑫储存存研发、
内年上生产和销售，于明长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，LPDDR4X、目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。12月3日消息 根据AnandTech的报道，目前，