作为美光最亲密的美光合作伙伴，
根据PCM的宣布M相技术特点，实际上除辅助DRAM作为内存之外还可替代NOR/NAND闪存的量产领域无码作用。Intel移动通信事业群组副总裁Stefan Butz称该公司一项站在技术的变内最先端，规格为1个1Gbit的用于移动PCM颗粒与1个512Mbit的LPDDR2 DRAM组成堆叠封装。更低的设备功耗=更长的续航以及更强的耐用性。
美光科技今日在位于美国爱达荷州的美光总部宣布，Intel也表明了力挺态度。宣布M相由于PCM断电后不丢失数据的量产领域无码特性，未来计划扩展到智能手机和平板电脑领域。变内目前美光该45nm PCM解决方案主要面向功能型手机市场，用于移动
目前量产的设备产品使用45nm制程工艺，该公司已经开始量产面向移动设备领域的美光相变内存(Phase Change Memory，使用这种存储方案的宣布M相设备将拥有更短的启动时间，在美光的量产领域PCM技术上看到了广阔的前景和价值。
简称PCM)。