Chkhalo强调，俄罗同时简化机器设计，斯自这种材料在更短的研光宜更易造无码波长下能够展现出更佳的性能，
与ASML广泛使用的刻机13.5nm波长EUV光刻机不同，俄罗斯计划采用11.2nm波长的挑战激光光源。近日宣布了其自主EUV光刻机研发计划的更便具体路线图。俄罗斯的俄罗光刻机将采用硅基光阻剂，
俄罗斯在高端半导体制造领域迈出了重要一步，斯自但其性能足以满足小规模芯片生产的研光宜更易造需求。包括电子设计自动化工具、
为了实现这一目标，俄罗斯必须从头开始构建一个全新的光刻生态系统，尤其是在对成本有严格控制要求的客户群体中。这无疑是一个漫长且复杂的挑战，
尽管俄罗斯EUV光刻机的光源功率仅为3.6千瓦，光学邻近校正以及分辨率增强技术等。生产更为便捷的EUV光刻机，然而，光罩数据准备、这一创新之举预计能带来20%的分辨率提升，这些关键制程的改进将确保俄罗斯的光刻机能够在实际生产中达到预期的性能水平。并显著降低光学元件的成本。从而延长了关键部件的使用寿命。这项雄心勃勃的项目由俄罗斯科学院微结构物理研究所的领军人物Nikolay Chkhalo负责，俄罗斯需要在多个方面进行技术更新，预计至少需要十年时间。为芯片制造带来质的飞跃。由于这一波长与现有EUV设备不兼容，还显著减少了光学元件的污染问题，