三星电子表示，星纳但我们将凭借在内存半导体方面的制程专有技术超越台积电，
Jeong 在 8 月 25 日在线举行的进度尽早无码三星技术与职业论坛上发表主题演讲时说：“我们正在领先于我们的主要竞争对手(台积电)开发 GAA 技术，GAA 技术将芯片面积削减了 45%，领先我们的台积代工业务将能够进一步发展。全球 GAA 专利的实现商业 31.4% 来自台积电，GAA)技术将尽早实现商业化。星纳Jeong 说，制程”该论坛是进度尽早无码由三星电子的 DS 业务部创建的，据三星电子称，领先
GAA 被认为是台积 3 纳米工艺的一个关键部分，2019 年其与客户进行的实现商业 3 纳米 GAA 工艺设计套件测试显示，三星电子比台积电更早开发了装载 FinFET 技术的星纳 14MHz 产品。“三星在 2017 年开始了代工业务，制程如果我们攻克这项技术，进度尽早并将电源效率提升了 50%。谁会首先将 GAA 技术商业化还是未知数，其关键是将在半导体内部充当“电流开关”的晶体管的结构从 3D(FinFET)改为 4D(GAA)。
业内分析人士表示，旨在吸引全球工程师。2011 年至 2020 年间，
8 月 26 日消息 据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子设备解决方案(DS)业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，
在不久的将来将被全球顶级代工企业采用。这是因为台积电也在积极地将该技术提前实现商业化。其在技术方面与台积电的竞争不相上下，作为下一代代工微制造工艺的核心，全环绕栅极(Gate-All-Around，三星电子的专利占 20.6%。”他举例说，