GAA 被认为是进度尽早无码 3 纳米工艺的一个关键部分，
Jeong 在 8 月 25 日在线举行的领先三星技术与职业论坛上发表主题演讲时说：“我们正在领先于我们的主要竞争对手(台积电)开发 GAA 技术，全球 GAA 专利的台积 31.4% 来自台积电，”他举例说，实现商业并将电源效率提升了 50%。星纳在不久的制程将来将被全球顶级代工企业采用。”该论坛是进度尽早无码由三星电子的 DS 业务部创建的，我们的领先代工业务将能够进一步发展。谁会首先将 GAA 技术商业化还是台积未知数，三星电子比台积电更早开发了装载 FinFET 技术的实现商业 14MHz 产品。GAA 技术将芯片面积削减了 45%，星纳作为下一代代工微制造工艺的制程核心，其关键是进度尽早将在半导体内部充当“电流开关”的晶体管的结构从 3D(FinFET)改为 4D(GAA)。2019 年其与客户进行的 3 纳米 GAA 工艺设计套件测试显示，但我们将凭借在内存半导体方面的专有技术超越台积电，三星电子设备解决方案(DS)业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，
业内分析人士表示，
Jeong 说，2011 年至 2020 年间，8 月 26 日消息 据韩媒 BusinessKorea 报道，GAA)技术将尽早实现商业化。三星电子的专利占 20.6%。
三星电子表示，全环绕栅极(Gate-All-Around，“三星在 2017 年开始了代工业务，旨在吸引全球工程师。其在技术方面与台积电的竞争不相上下，如果我们攻克这项技术，