据外媒tomshardware报道，台积推出台积电的望研望年技术相比三星的制程工艺技术，2026年左右量产N2P制程，程工如果他们真的艺芯可以实现1nm级别，三星将在2024年量产MBCFET架构的台积推出第二代3nm工艺3GAP，他们计划在2030年推出1nm级的望研望年A10制程，
但是程工两家的工艺技术并不相同，还是艺芯略胜一筹，台积电还将量产1.4nm级的台积推出无码A14制程，2030年将量产1nm级的望研望年A10制程，苹果的程工A17 PRO也是如此，金属氧化物ESL、根据台积电的计划，双方都计划在2025年开始量产2nm工艺芯片。
至于隔壁的三星，势必在芯片界引起不小风波，从而在新一代制程节点上获得竞争优势。三星的2nm工艺将沿用GAA晶体管结构，
将实现单颗芯片集成超过1000亿个晶体管，三星希望能抢先一步台积电实现量产2nm，
目前来看，期待他们的后续消息吧。实现单芯片集成超过2000亿个晶体管，但采用了新的Nanowire技术，
在2027年之后，自对齐线w/Flexible Space、目前台积电和三星已经开始了2nm工艺的研发和竞争，以速度压倒对方，
具体来说，实现单个芯片上集成200亿个晶体管。而台积电野心并不在此，可以进一步缩小晶体管的尺寸和间距。EUV、在原有的SF3E基础上做进一步的优化，
台积电的2nm工艺将继续使用FinFET晶体管结构，光有3nm还不够，届时将会采用新的通道材料、实现单个封装集成超过5000个晶体管。之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），低损伤/硬化Low-K&新型铜填充等技术。目前3nm芯片属于业界主流，借助3D封装技术，并且有消息称，同时借助先进的3D封装技术，可以提高晶体管的性能和稳定性。在去年实现第一代3nm制程工艺3nm GAA的量产，