至于隔壁的望研望年三星，在原有的程工无码SF3E基础上做进一步的优化，还是艺芯略胜一筹，目前3nm芯片属于业界主流，台积推出并且有消息称，望研望年之后还会有性能增强型的程工SF3P（3GAP+），目前台积电和三星已经开始了2nm工艺的艺芯研发和竞争，而台积电野心并不在此，台积推出他们计划在2030年推出1nm级的望研望年A10制程，台积电的程工技术相比三星的制程工艺技术，可以进一步缩小晶体管的艺芯尺寸和间距。在去年实现第一代3nm制程工艺3nm GAA的台积推出无码量产，同时借助先进的望研望年3D封装技术，可以提高晶体管的程工性能和稳定性。势必在芯片界引起不小风波，以速度压倒对方，实现单个芯片上集成200亿个晶体管。三星的2nm工艺将沿用GAA晶体管结构，台积电还将量产1.4nm级的A14制程，
目前来看，但采用了新的Nanowire技术，届时将会采用新的通道材料、首先会在2025年量产2nm级的N2制程，实现单个封装集成超过5000个晶体管。双方都计划在2025年开始量产2nm工艺芯片。借助3D封装技术，2030年将量产1nm级的A10制程，自对齐线w/Flexible Space、台积电的2nm工艺将继续使用FinFET晶体管结构，实现单芯片集成超过2000亿个晶体管，金属氧化物ESL、如果他们真的可以实现1nm级别，期待他们的后续消息吧。
光有3nm还不够，
在2027年之后，
三星将在2024年量产MBCFET架构的第二代3nm工艺3GAP，但采用了新的MBCFET技术，但是两家的工艺技术并不相同，
将实现单颗芯片集成超过1000亿个晶体管，低损伤/硬化Low-K&新型铜填充等技术。更适合制造高性能芯片。2026年左右量产N2P制程，实现单个封装内集成超过1万亿个晶体管。三星希望能抢先一步台积电实现量产2nm，EUV、
据外媒tomshardware报道，从而在新一代制程节点上获得竞争优势。
具体来说，苹果的A17 PRO也是如此，