为了挽回在HBM3 (E)世代因质量问题而失去的星电市场份额，三星还计划在HBM4上引入1c nm制程的辑芯DRAM Die，三星的片试无码DS部门内存业务已成功完成了HBM4内存逻辑芯片的设计工作。业界三大内存原厂纷纷选择采用逻辑半导体代工来制造逻辑芯片。产n程能存市场
逻辑芯片，否助负责控制上方的其夺多层DRAM Die。并有望在16Hi堆栈中采用无凸块的回内混合键合技术。三星电子通过采用先进的星电4nm制程技术来制造逻辑芯片，三星电子在HBM4的辑芯开发上采取了更为激进的技术策略。除了使用自家的片试无码4nm工艺制造逻辑芯片外，这些创新举措有望进一步提升HBM4的产n程能存市场性能和可靠性。其制程技术的否助改进对于提升HBM4的能效和性能至关重要。发热问题是其夺HBM内存面临的主要挑战，旨在有效应对这一挑战。回内在HBM4时代，星电被誉为HBM内存堆栈中的“大脑”，据悉，与此同时，韩国媒体《Chosun Biz》报道了一则关于三星电子的重要进展。
近期，
业内专家指出，这一趋势反映了HBM4技术的复杂性和对先进制程的依赖。三星电子计划将这款自主研发的HBM4内存样品提供给客户。
在逻辑芯片完成最终的性能验证后，
该公司的Foundry业务部也已依据这一设计，而逻辑芯片作为堆栈中的发热大户，这一举措标志着三星在高端内存技术领域的又一次突破。由于内存堆栈I/O引脚数量的增加以及功能的集成需求，利用4nm制程技术启动了试生产流程。