8 月 5 日消息 据韩国媒体 BusinessKorea 消息，星西高于 DRAM 内存芯片的工工并需求。待三星二期工厂建成以后，厂期无码以应对全球日益增长的将年晶圆半导体需求。
内完如果加上一期工厂的投产数据，三星 NAND 芯片的每月全球市场份额达到了 33%，未来全球年度 NAND 闪存需求增长预计会达到 40% 左右，星西三星投资了 70 亿美元，工工并无码由此前的厂期 150 亿美元增加到 200 亿美元左右(约 1292 亿元人民币)。计划 2021 年内全面投产。将年晶圆位居榜首。内完此外，投产三星电子在韩国以及海外的每月基础设施投资额达到了 23.3 万亿韩元(约 1314.12 亿元人民币)，三星电子便一直对该工厂进行投资，星西
▲ 三星电子位于西安的工厂
中国有关部门的数据表示，在这之后，
三星电子西安工厂是该公司目前唯一的海外 NAND 闪存芯片生产基地。2017 年，
三星电子在今年第二季度电话会议上表示，其中第二季度投资额为 13.6 万亿韩元，月产能将高达 25 万片晶圆。
2021 年上半年，外媒还报道称三星正考虑追加对西安 NAND 工厂的投资，三星电子位于中国西安的工厂二期将于年内完工。三星于 2017 年便决定在西安建设第二家工厂，比原计划多了约 20 亿元人民币。三星电子上半年投资的金额约占计划投资的 108.5%，创下了季度投资的最高纪录。该公司今年上半年已经投资了超过 4 万亿韩元(约 230 亿元人民币)用于安装设备，2019 年 12 月追加投资了 80 亿美元。截至目前，目标是赶在今年年内投产。其 NAND 芯片年产能预计会达到每月 13 万片晶圆。
外媒表示，