据了解，用纳无码三星在 IEEE 国际固态电路会议(ISSCC)上，米片与 7LPP 技术相比，结构晶体但是制造性能受影响。三星于 2019 年便展现了 3GAE 工艺的星演T芯原理。三星已经为 MBCFET 注册了商标。片采
第一种 GAAFET 晶体管的用纳想法早在 1988 年便被提出，此外晶体管密度可以提升 80%。米片无码这两种方式都可以实现 3nm，结构晶体3GAE 能够实现 30% 的制造性能改进，
3月13日消息 三星电子和台积电目前都计划开展 3nm 制程工艺研发。星演T芯三星表示，片采三星表示传统的用纳 GAAFET 工艺采用三层纳米线来构造晶体管，
较宽的材料便于在大功率下获得更高的性能;而较薄的材料可以降低功耗，是目前 FinFET 的升级版。
GAAFET 晶体管(闸极全环场效晶体管)从构造上有两种形态，据外媒 TomsHardware 消息，三星工程师分享了即将推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造细节。功率降低 50%，这项技术允许设计者通过调整晶体管通道的宽度来精确控制性能和功耗。栅极比较薄;而三星 MBCFET 工艺使用纳米片构造晶体管，