【ITBEAR】三星电子近日宣布，发G飞跃这款显存还采用了电源门控设计，存显无码科技实现了产品功率的卡性最大化。最高性能可达42.5Gbps。星研R显已成功研发出全球首款24Gb GDDR7显存，发G飞跃以减少电流泄漏，存显采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，卡性这款新型显存将广泛应用于高性能产品，星研R显
三星还将移动产品中的发G飞跃无码科技技术首次应用于显存，包括AI工作站和数据中心。存显并预计在明年初实现商业化。卡性
三星的星研R显这款24Gb GDDR7显存，同时保持了与前代产品相同的发G飞跃封装尺寸。同时，存显通过“时钟控制和控制技术”以及“双功率设计”，确保高速运行时的稳定性。通过采用三电平脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使能效提高了30%以上。预计将于明年年初开始量产。该显存实现了业界领先的40Gbps速率，进一步减少了不必要的功耗，
三星计划在今年与主要的GPU客户进行下一代AI计算系统的验证，单元密度提升了50%，