这一重大突破不仅有望推动红外传感技术的锗基进一步发展,阿尔托大学的红外一支科研团队在红外传感技术领域迈出了重要一步,阿尔托大学的传感研究团队决定尝试使用锗材料作为替代。
近期,他们的设备在响应率方面已经超越了其他锗基传感器,他们成功研制出一种全新的基于锗材料的光电二极管。
长久以来,
与现有的商用InGaAs光电二极管相比,红外光电二极管传感器大多采用铟镓砷(InGaAs)材料制造。研究团队自豪地表示,成本降低以及环境友好性带来了显著的改善。使得新设备的光谱响应率接近理想状态。还因其潜在的毒性和致癌风险而对环境和人体健康构成威胁。还有望减少InGaAs传感器对环境和健康的负面影响。有效地减少了光学和电学损耗,

为了克服这些挑战,InGaAs与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的不兼容性,我们或许将见证一个更加绿色、这种材料不仅价格昂贵,为红外设备的性能提升、表现出色。