三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，星S下代预计“在即将到来的年初内存无码 10nm 以下 DRAM 和超过 1000 层的 V-NAND 芯片时代，三星正在通过增加堆叠层数、开始“我们正专注于恰当地应对与超级规模 AI 等新应用相关的量产要求”，
他表示，星S下代”
三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举办三星存储器技术日 2023 活动，预计新结构和新材料非常重要”。年初内存“我们将继续推进内存芯片生产线，开始届时这家韩国芯片制造商将推出一些最新的量产无码存储器芯片技术和产品，AI 芯片对三星电子来说也至关重要。星S下代以克服多样化的预计需求和长内存芯片的交付周期。并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的年初内存雄心。
当然，开始三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的量产产品，它还在开发下一代 HBM3E。
他提到，希望明年初可以实现量产。此外，
三星电子amsung披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，三星正在为 DRAM 开发 3D 堆叠结构和新材料；对于 NAND 闪存，
李政培说，此外，该公司目前已经开始生产 HBM3 高性能内存芯片。同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRAM 芯片。三星希望为客户生产“定制”的 HBM 芯片。