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2月5日消息 日前，三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB，由16Gb的单Die通过8层堆叠而成，可实现16GB的封装

2026-01-15 20:50:29

单颗最大容量16GB，三星推出业界首款第三代HBM2E显存 单颗代2月5日消息 日前

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2月5日消息 日前，容量三星正式宣布推出名为Flashbolt的星推E显无码科技第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。新型16GB HBM2E特别适用于高性能计算(HPC)系统，出业存

三星预计第三代HBM2存储芯片将在今年上半年开始量产。界首同时扩展其第三代Flashbolt产品。款第可实现16GB的单颗代封装容量，由16Gb的容量单Die通过8层堆叠而成，

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