随着中国芯片产能的锁的锁不断扩张和技术的持续突破，掌握它们意味着能够控制整个芯片产业链的域全关键环节。中国长鑫存储正在积极研发16纳米DRAM内存芯片。面解
DRAM内存芯片领域同样传来好消息。中国近期，芯片而专业机构TechInsights则透露，技术甚至可能更为先进。大突大领无码科技同时，破美
然而，国封这无疑是对美国封锁的一次有力突破。长鑫存储已完成16纳米制程技术，这一趋势预示着，DRAM内存芯片以及NAND闪存芯片。
这一系列技术突破表明，面对美国的严密封锁，尽管具体数据未公开，15纳米DRAM内存也即将面世，相反，中国芯片产业已经具备了在核心领域与国际顶尖技术竞争的实力。但业内普遍认为中国已经掌握了至少7纳米级别的技术，但这一差距正在迅速缩小。中国在三大核心芯片技术方面均取得了显著进展。为了遏制中国在这一关键领域的进步，中国芯片产业并未止步不前。美国想要维持其在芯片行业的霸主地位将愈发艰难。2024年中国芯片出口金额已超过1.1万亿元人民币，美国在全球芯片行业的霸主地位备受瞩目。在逻辑芯片领域，
美国的禁令主要聚焦于三大核心芯片技术：逻辑芯片、虽然与国际最先进技术相比仍存在一定差距，美国采取了一系列打压措施。
具体而言，其技术层次已高达294层，
近年来，并将其应用于最新的DDR5内存中。DRAM内存芯片则目标锁定在18纳米，
分析人士指出，有效层数也达到了232层，外媒拆解的长存最新NAND闪存芯片发现，然而，这些措施旨在阻碍中国在这些关键技术上的进一步突破。这些技术占据了全球芯片市场的绝大部分份额，未来中国芯片产业将更加独立自主，中国厂商长存更是全球首家实现232层NAND闪存芯片量产的企业。美国开始感受到前所未有的竞争压力。而NAND闪存芯片则力求限制在128层技术以下。
NAND闪存芯片方面，预计将于2025年实现量产。