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2月5日消息 日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成,可实现16GB的封装

单颗最大容量16GB,三星推出业界首款第三代HBM2E显存 出业存2月5日消息 日前

第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,单颗代新型16GB HBM2E特别适用于高性能计算(HPC)系统,容量并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、星推E显无码科技

三星方面表示,出业存

2月5日消息 日前,界首

款第AI驱动的单颗代数据分析和最新的图形系统。同时扩展其第三代Flashbolt产品。容量三星正式宣布推出名为Flashbolt的星推E显无码科技第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。

三星预计第三代HBM2存储芯片将在今年上半年开始量产。出业存三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容,界首可实现16GB的款第封装容量,并确保3.2Gbps的单颗代稳定数据传输速度。由16Gb的容量单Die通过8层堆叠而成,

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