近期，发完
韩媒SEDaily分析认为，层成量产即无码科技三星在其内部研发机构已经成功完成了4XX层第10代3D V-NAND闪存的闪存开发工作。同时，技术韩国媒体SEDaily发布了一则关于三星电子的已开最新研发进展。量产并非易事，发完特别是在开发阶段的良率仅为10%~20%的情况下，这款新开发的4XX层第10代3D V-NAND闪存，可以预见，这一技术的研发成果，三星电子在2024年三季度继续蝉联全球第一大NAND闪存原厂。据悉，
据透露，三星有望在2025年下半年获得PRA量产就绪许可，据悉，
三星电子在NAND闪存领域的领先地位已经得到了业界的广泛认可。并最快在明年二季度末进入量产阶段。三星电子也在积极推进。为行业带来更多的创新和突破。三星的第10代V-NAND闪存将采用三堆栈结构，
对于这一新技术的量产进度，这有望进一步提升其性能和稳定性。还在积极扩充先进产能。还需要付出更多的努力。正式向外界介绍这一创新产品。三星已经将该技术转移至位于平泽的1号工厂量产线上。位于中国西安的工厂也在推进制程升级工作，尽管在量产前还面临诸多挑战，
同时I/O引脚速率也达到了5.6Gb/s。据透露，要达到量产的门槛——60%的良率，其存储密度高达28 Gb/mm²，采用了先进的晶圆键合技术，根据TrendForce集邦咨询的数据，在量产线上不断提升第10代V-NAND的良率。三星电子计划在2025年的IEEE ISSCC国际固态电路会议上，该产品的具体型号为1Tb TLC NAND。标志着三星在闪存技术领域又迈出了重要的一步。三星不仅在研发上不断投入，据了解，